特許
J-GLOBAL ID：200903010168898291
半導体電子放出素子およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273322
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130981
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【構成】 絶縁性ないし半導体性結晶基体上にニッケル{111}面単結晶層または炭化珪素{111}面単結晶層を形成した後、少なくとも炭素を含むプラズマ中で基体にバイアスを印加させるプラズマ処理を行ない、さらにその単結晶層上にダイヤモンド半導体結晶層を含むダイヤモンド結晶{111}面単結晶層をエピタキシャル成長させて半導体電子放出素子を形成する。【効果】 高い電子放出効率を有し、長寿命の半導体放出素子を得ることができ、その素子を用いて、信頼性の高いディスプレイ、EB(エレクトロンビーム)描画装置、真空管、電子線プリンター、メモリーなどを提供することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体層として少なくともダイヤモンド半導体層を形成する半導体電子放出素子形成方法において、絶縁性ないし半導体性の結晶基体上にニッケル{111}面単結晶層を形成した後、少なくとも炭素を含むプラズマ中で基体にバイアスを印加させるプラズマ処理を行ない、さらに該単結晶層上にダイヤモンド半導体結晶層を含むダイヤモンド結晶{111}面単結晶層をエピタキシャル成長させることを特徴とする半導体電子放出素子形成方法。
IPC (4件)：
H01L 29/68
, C30B 29/04
, H01L 21/20
, H01L 29/80
