特許
J-GLOBAL ID：200903010169003670
熱処理効果の測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-064403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267424
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】他のプロセス条件の要因や熱伝導率の大小の影響によることなく定量的に測定する。【構成】フォトレジスト膜11が形成された半導体基板12の加熱前の膜厚を事前に測定し、まずt0とする。次に、所定時間加熱して、その膜厚の減少量を△tとする。この△tの大小をもって熱処理効果の指標とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されるフォトレジスト膜の厚さを加工前に測定するステップと、加熱後に前記フォトレジスト膜の厚さを測定するステップと、この加熱により前記フォトレジスト膜の厚さ減り量を用いて熱処理の効果を評価することを特徴とする熱処理効果の測定方法。
IPC (2件)：
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