特許

J-GLOBAL ID：200903010171438803

電界放出素子の製造方法

発明者： 冨田 正晴 ,  円谷 和彦 ,  伊藤 茂生 ,  小原 有司
出願人/特許権者： 双葉電子工業株式会社
代理人 (1件)： 脇 篤夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011837
公開番号（公開出願番号）：特開平10-199400
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】 第一、第二ゲート電極層の孔径の大きさを個々に制御する。【解決手段】 第二ゲート電極層7及び第二絶縁層6にホール10aをエッチングにより形成した後にレジスト層を剥離して、回転斜め蒸着によってメタル層11を形成し(a)、ホール10aの底部及び第一ゲート電極層5及び第一絶縁層4にホール10bをエッチングにより形成し(b)、メタル層11を剥離した後に、ホール10b内にコーン状のエミッタ15を形成する(c、d、e)。また、回転斜め蒸着によって第二ゲート電極層上及び第一のホールの壁部及び前記第一のホールの底面となる第一ゲート電極部にメタル層を形成し、次に、前記第一ゲート電極層及び第一絶縁層に第二のホールをエッチングにより形成し、エミッタ材料層を堆積させて前記第二のホール内にコーン状のエミッタを形成した後に、前記メタル層及び前記エミッタ材料層をリフトオフする。

請求項（抜粋）：

基板の上にカソード電極、第一絶縁層、第一ゲート電極層、第二絶縁層、第二ゲート電極層を順次積層し、前記第二ゲート電極層の上に形成したレジスト層でパターニングして、前記第二ゲート電極層及び前記第二絶縁層の所定の位置に第一のホールをドライエッチングにより形成し、次に前記レジスト層を剥離した後に、回転斜め蒸着によって少なくとも前記第二ゲート電極層をメタル層で被着し、前記第一のホールの底面及び前記第一ゲート電極層及び前記第一絶縁層に対してドライエッチングすることによって前記第一のホールに続く第二のホールを形成し、前記メタル層を剥離した後に、前記第二のホールの底面にリフトオフ工程によりコーン状のエミッタを堆積することを特徴とする電界放出素子の製造方法。