特許
J-GLOBAL ID：200903010173639423
誘電率の小さな埋め込まれた誘電体をダマシーン処理工程の中に組み込む方法とその構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-326688
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219955
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 誘電率の小さな埋め込まれた誘電体をダマシーン処理工程の中に組み込む方法とその構造体を提供する。【解決手段】 集積回路の上に作成された複数個のデバイスを有する半導体デバイスが開示される。半導体基板101の表面の上に犠牲層102が作成され、そしてこの犠牲層102がパターンに作成されてトラフ103が形成される。トラフ103が導電体104で充填されて、相互接続導線106が作成される。犠牲層102が除去され、そして誘電率εの小さな誘電体107が集積回路の表面に取り付けられ、それにより誘電率εの小さな誘電体107の中に配置された相互接続導線106の間が充填される。相互接続導線106は、デバイスの少なくとも各部分を相互に接続するように作成される。
請求項（抜粋）：
集積回路の上に作成された複数個のデバイスと、前記集積回路の表面の上に作成された誘電率εの小さな誘電体と、誘電体の内部に配置されおよび前記デバイスの少なくとも各部分と相互接続される相互接続導線と、を有する、半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/768
H01L 21/88 B
, H01L 21/90 C
