特許

J-GLOBAL ID：200903010174528501

不揮発性トランジスタ

発明者： 馬場 寿夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291868
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135359
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 エネルギー準位のそろった深いDXセンターを利用して蓄積電荷量を一定とし、閾値電圧制御性が高く、高速動作可能な不揮発性のトランジスタを提供する。【解決手段】 電界効果トランジスタ構造のゲート絶縁層内に、ドナー不純物周囲の原子配列がそろって対称性の小さい構造、例えばAlAs/GaAs界面近傍のみにドナー不純物を含む電子蓄積層13を設け、その界面に形成されるエネルギー準位のそろった深いDXセンターを電子のトラップとして利用することにより、DXセンター濃度の2倍まで正確に電子を捕獲でき、電子獲得時の閾値電圧は経時変化がほとんどなく、安定した不揮発メモリー動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

少なくとも導電性の高い半導体からなる一対のソース領域及びドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域との間の半導体からなるチャネル領域と、該チャネル領域上に該チャネル領域よりも電子親和力の小さな半導体からなる絶縁層と、該絶縁層中に、該絶縁層中のDXセンターよりもエネルギー的に深く、かつエネルギー深さのそろったDXセンターを発生させる半導体からなる電子蓄積層と、該絶縁層上のゲート電極と、ソース領域及びドレイン領域とオーミック接合を形成するソース電極及びドレイン電極を有することを特徴とする不揮発性トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/80 A