特許
J-GLOBAL ID：200903010178655800
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181330
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029713
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 半導体レーザ素子における無効電流を大幅に低減させる。【構成】 第1導電型の半導体基板10上に,第1導電型の第1半導体層15と,活性層16と,第2導電型の第2半導体層17とを含む積層構造が設けられている。半導体基板10上には,(n11)A面(n≧1の整数)を傾斜面11とするストライプ状順メサ12が形成され,そのリッジ頭部を除いた全面に第2導電型の電流阻止層13が形成されている。第2半導体層17には不純物としてIV族両性元素が添加されているので,傾斜面11の上方に位置する第2半導体層17および18の傾斜部分は第1導電型の反転層20となる。反転層20および電流阻止層13が各々電子および正孔に対する狭窄機構として働く。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板上に分子線エピタキシー法により成長させたIII-V族化合物半導体からなる,第1導電型の第1半導体層と,活性層と,第2導電型の第2半導体層とを含む積層構造を備えた半導体レーザ素子であって,該半導体基板上に(n11)A面(n≧1の整数)を傾斜面とするストライプ状順メサが形成され,そのリッジ頭部を除いた全面に第2導電型の電流阻止層が形成され,かつ該第2半導体層に不純物としてIV族両性元素を添加して,該傾斜面の上方に位置する該第2半導体層の傾斜部分を第1導電型の反転層とすることにより,電子および正孔の両キャリアを狭窄する機構を有する半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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