特許
J-GLOBAL ID：200903010182395766
埋込型半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198569
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058412
出願日： 1993年08月10日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 温度調節機能を備えることなく、高ビットレートの光ファイバ通信を行うことのできる埋込型半導体レーザを提供する。【構成】 n型InP基板4上に、n型InP第1クラッド層1、ノンドープGaInAsP第1光ガイド層11、井戸数5〜10であり、発光波長が略1.3μmである多重量子井戸構造の活性層3、ノンドープGaInAsP第2光ガイド層12およびP型InPクラッド層2が順次形成され、これらが加工されてメサ型の活性領域を構成している。この活性層3の幅は0.7μm以上1.0μm以下であり、このような構成とすることよって、-45〜+85°Cの温度範囲でのスペクトル幅を2.5nm以下にすることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、前記第1クラッド層上に形成された第1光ガイド層と、前記第1光ガイド層上に形成された多重量子井戸構造の活性層と、前記活性層上に形成された第2光ガイド層と、より構成される光導波層と、前記第2光ガイド層上に形成された第2導電型の第2クラッド層と、ストライプ構造とされた前記光導波層の両側面に接して設けられた埋込層と、を備え、前記活性層の発光波長が略1.3μmであり、前記活性層の幅が0.7μm以上1.0μm未満である、ことを特徴とする埋込型半導体レーザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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