特許
J-GLOBAL ID:200903010190713033

PGA型半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-117236
公開番号(公開出願番号):特開平7-326706
出願日: 1994年05月30日
公開日(公表日): 1995年12月12日
要約:
【要約】【目的】 本発明はPGA型半導体装置に関し、ピンの接合強度を向上させることを目的とする。【構成】 基板11と、ベアLSI12と、銀ペースト製の接着部19によって、パッド18に接着してある多数のピン14と、基板11の下面に形成してある多数のピン14と、基板11の下面に形成してあるエポキシ樹脂製の被覆膜31とを有する。被覆膜31は、ピン14の根元部分を覆っており、ピン14の固定を補強する。
請求項(抜粋):
下面(32)にパッド(18)を有する基板(11)と、該基板の上面に実装してある半導体部品(12)と、該基板の下面の上記パッドに接合材によって接合してあり、該半導体部品と電気的に接続してあり、該基板より下方へ突き出して並んでいる多数のピン(14)と、上記各ピンの根元の部分を覆う厚さを有し、該各ピンの根元の部分を覆って上記基板の下面に形成してある、絶縁性を有する合成樹脂製の被覆層(31)とを有する構成としたことを特徴とするPGA型半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/12

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