特許
J-GLOBAL ID：200903010191777531
半導体光素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218739
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068238
出願日： 1997年08月13日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、周囲温度の変動に対して、より安定な半導体発光素子、半導体受光素子および半導体導波路素子等の半導体光素子構造、および半導体発光素子の作製が容易で安価な製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に、この基板とは異なる半導体からなる活性領域もしくは導波領域を備えた半導体光素子の活性領域もしくは導波領域の少なくとも一部が、少なくとも2種類のIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜を構成単位とした短周期超格子から成り、かつIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜のうち、格子定数の最も大きいIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜に、ビスマスもしくはタリウムを含有して成る構造の半導体発光素子、受光素子または光導波路素子等の半導体光素子およびその製造方法とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、該基板とは異なる半導体からなる活性領域もしくは導波領域を備えた半導体光素子において、上記活性領域もしくは導波領域の少なくとも一部が、少なくとも2種類のIII-V族半導体もしくはその混晶の薄膜を構成単位とした短周期超格子からなり、かつ上記III-V族半導体もしくはその混晶の薄膜のうち、格子定数の最も大きい該III-V族半導体もしくはその混晶の薄膜に、ビスマスもしくはタリウムを含有してなることを特徴とする半導体発光素子、受光素子または光導波路素子等の半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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半導体混晶
公報種別：公開公報
出願番号：特願平7-149865
出願人：日本電信電話株式会社
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