特許

J-GLOBAL ID：200903010194733500

積層型半導体チップ構造および製法

発明者： クロード・ルイス・バーティン ,  ポール・オールデン・ファラー・シニア ,  ウェイン・ジョン・ハウエル ,  クリストファー・ポール・ミラー ,  デーヴィッド・ジェイコブ・パールマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-105115
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083881
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、デバイスの動作速度を増大し、パッケージの信頼性を高め、既存の半導体デバイス加工技術に対するパッケージの適合性を高める、絶縁材料と接着材料を使用した半導体デバイス・チップのスタックの立体的パッケージングを提供することにある。【構成】 金属の伝達層(9)を不動態化した(6)チップの表面に付着し、すべての電気接点を共通のチップ縁部に集める(14)。金属伝達層は、誘電率が低く、熱膨張係数が積み重ねたチップの熱膨張係数と合致する重合体層(10)によって、チップの表面およびスタック中の隣接するチップから分離させる。接着層(11A、11)を付着し、ウェーハ・レベルで部分的に硬化させた後、チップを積み重ねて立体的積層体を形成する際に完全に硬化させることにより、第1の重合体層とスタック中の隣接するチップの結合を強化する。

請求項（抜粋）：

第1の熱膨張係数を有するウェーハの上面に複数の集積回路チップを形成する工程と、上記ウェーハ上に第1の絶縁層と第1の伝達メタラジ層と第2の絶縁層とからなり、上記第1および第2の絶縁層が上記ウェーハの熱膨張係数と近似する熱膨張係数と約4以下の誘電率を有する、サンドイッチ構造を形成する工程と、上記サンドイッチ構造の上面に重合体接着材料を付着する工程と、上記重合体接着材料を完全に硬化させることなく乾燥する工程と、上記ウェーハをダイシングして、上記複数の集積回路チップを互いに分離する工程と、上記複数の集積回路チップを積み重ね、上記重合体接着材料が実質的に硬化するのに十分な温度に加熱して、上記積み重ねたチップを接着させる工程とを含む積層型半導体チップ構造の製法。

IPC (2件)：

H01L 25/00 ,  H01L 23/52

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭46-035214
  
• 特開平2-044751
  
• 特開平3-152942