特許
J-GLOBAL ID：200903010198869741
窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006518
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267257
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】 種結晶による横方向成長技術を用いて窒化物半導体の結晶層を形成する工程において、結晶層の転位密度を低減し、表面欠陥を少なくする。【解決手段】 基板100上のバッファ層100aの上に、GaN:Siを成長させ種結晶105を形成する。このとき、反応管1内を加圧状態(1.6気圧)とするので、従来の減圧下で作製された場合に比べて、種結晶105自体に存在する転位密度が低減する。この種結晶105から窒化物半導体結晶を横方向成長させると、元々転位の少ない横方向成長領域と併せて種結晶105の直上の転位密度も減少し、表面欠陥が少ない結晶層107が得られる。よって、この上に積層する第2の窒化物半導体層108〜115にも転位が少なくなる。第2の窒化物半導体層108〜115を加圧成長させると、より転位密度が低く抑えられ、欠陥の少ない信頼性の高い半導体レーザが作製される。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなり、結晶部と離間部とを有する種結晶部を加圧条件下で成長させて形成する工程と、前記種結晶部を利用して窒化物半導体を成長させる工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C30B 29/38
, H01S 5/323
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C23C 16/34
, C30B 29/38 D
, H01S 5/323
, H01L 33/00 C
