位相変調回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-211046
公開番号（公開出願番号）：特開平5-056092
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】この発明はダイオードにその立上がり電圧分だけ逆バイアスをかけて小信号でも低歪の位相変調をかけることのできるような位相変調回路を提供することを主要な特徴とする。【構成】変調信号をロールオフフィルタ2に与えて帯域制限し、高域が遮断されたベースバンド信号をバイアス発生回路1とアンプ3とに与える。バイアス発生回路1はシュミット回路11によって波形整形し、インバータ12で極性を反転し、変調トランスT1に入力する。アンプ3はベースバンド信号を増幅し、高周波コイルL1を介してダイオードD1のカソードとダイオードD2のアノードに与える。RF信号が変調トランスT1に入力されると、ダイオードD1,D2にバイアスがかけられ、変調信号のレベルの低い部分でも低歪の位相変調をかける。

請求項（抜粋）：

ダイオードを用いた位相変調回路において、変調信号と同じ周期で逆極性のバイアス電圧をダイオードに印加し、それによって歪を低減することを特徴とする、位相変調回路。

IPC (5件)：

H04L 27/20 , H03C 3/00 , H03C 3/22 , H04L 27/04 , H04N 5/40

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-013733
特開昭52-100864

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