特許

J-GLOBAL ID：200903010203982659

半導体記憶装置

発明者： 諏訪 真人 ,  諸岡 毅一 ,  古谷 清広
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-229996
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085655
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】 動作速度を高速化するとともに、低消費電力化を実現することができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 通常読出時、メモリセルアレイMC1〜MC4から読出したデータをプリアンプPA1〜PA4で増幅する。増幅されたデータは、セレクタ部SEL1でビット構成選択信号に応答して、所定のビット構成に応じたデータが選択され、データバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15へ出力される。また、テストモード時、セレクタ部SEL1〜SEL4は、テストモード信号等に応答して、所定のビット構成に対応してテスト結果をデータバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15へ出力する。したがって、データバスDB0〜DB15、/DB0〜/DB15は、ビット構成およびテストモードに応じて必要なものだけが使用される。

請求項（抜粋）：

ビット構成制御信号に応じて所定のビット構成でデータの入出力を行なう半導体記憶装置であって、前記データを記憶する記憶手段と、前記ビット構成制御信号に応答して、前記記憶手段から出力されるデータを選択する選択手段と、前記選択手段により選択されたデータを伝送するデータバスと、前記データバスにより伝送されたデータを出力する出力手段とを含む半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 29/00 303