集束イオンビーム装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-100434
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312198
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、基板にチャージされる電荷の影響を無くして、集束性を高め、かつ所望の位置にイオンビームを入射させることの可能な集束イオンビーム装置を供給することにある。【構成】本発明は、電子ビームによる中和過程を明らかにして電子ビームのエネルギー範囲と、帯電を中和する条件よりも過剰に照射するように制御する手段と、信号検出系の構成に係る。信号検出系は、帯電中和用電子と、試料からの放出2次電子や2次イオンの信号が、混合してシンチレータ,フォトマル検出器で検出されるのを防ぐため、イオン/電子変換電極用のメッシュをシンチレータ直前に設けた。

請求項（抜粋）：

基板表面に集束されたイオンビームを入射させる手段、低エネルギー電子ビームを射出する電子ビーム源、前記電子ビームを前記基板表面の前記イオンビーム入射点を囲む領域に入射させて、前記イオンビームの入射により発生される表面電荷を中和する手段および前記表面電荷を中和して前記イオンビーム入射点の変位をサブミクロンのオーダ以内に維持するようにイオンビームの入射により発生させる2次粒子を検出し、前記電子ビームの照射条件を制御する手段からなる集束イオンビーム装置において、前記電子ビームのエネルギーは入射イオンビームより1ケタ以上低いものを用いたことを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (4件)：

H01J 37/317 , H01J 37/06 , H01J 37/244 , H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 541 G , H01L 21/30 551

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