特許
J-GLOBAL ID：200903010205444182
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-359131
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191603
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップで発生する熱の放熱性が向上され、かつ基板に配設される接地配線層の接続構造が簡素化された半導体集積回路装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 ガラスセラミック製の多層基板1に段差状の凹部10を設け、凹部10の内部に導電性のヒートシンク4を配置し、ヒートシンク4上にパワーFETチップ5を取り付ける。多層基板1の凹部10内には各プリント基板1a〜1d間に形成されたグランドライン2が露出する。ヒートシンク4の下面は凹部10の段差に沿う段差状に形成され、露出したグランドライン2に接触する。ヒートシンク4の下面はプリント基板1aに形成された接続部11に接続される。
請求項（抜粋）：
配線層が形成された基板上にヒートシンクを介して半導体チップが設けられるとともに、前記配線層が前記ヒートシンクに電気的に接続されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 23/12 E
, H01L 23/12 J
, H01L 23/36 C
