特許
J-GLOBAL ID：200903010213049969
半導体レーザ励起固体レーザ装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-260542
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082862
出願日： 1992年09月04日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 LD励起固体レーザ装置に関し、高効率化を可能とする3層反射防止膜と、該反射防止膜を設けたSHG素子と、該素子を用いたLD励起固体レーザ装置の提供を目的とする。【構成】 3層反射防止膜はSiO2層、Al2O3層、SiO2層の順に構成され、かつ、それぞれの層の波長1.06μm付近における光学的膜厚が所定の関係を満たす3層反射防止膜と、そのレーザ入出射端面に本発明の3層反射防止膜を設けたSHG素子とは、このSHG素子を用いたLD励起固体レーザ装置である。【効果】 残留反射をさらに低減できるため、該3層反射防止膜を設けて作成したSHG素子を用いて構成したLD励起固体レーザ装置を用いれば、より効率よく高出力のSH波を得ることができる。
請求項（抜粋）：
半導体レーザと、集光レンズと、Ndドープ固体レーザ結晶から成る固体レーザ素子と、波長1.06μm付近における屈折率が2.10〜2.50の第2高調波発生素子と、出力鏡とから基本的に構成される半導体レーザ励起固体レーザ装置において、SiO2層、Al2O3層、SiO2層の順に構成され、かつ、それぞれの膜の波長1.06μm付近におけるSiO2とAl2O3との屈折率をnL、nH とし、物理的膜厚をdL、dH とした時に、第1及び第3層の光学的膜厚nLdLと、第2層の光学的膜厚nHdH とが、下記式 (1) 〜(2)を満足するものであることを特徴とする第2高調波発生素子用3層反射防止膜。但し、nS は第2高調波発生素子の波長1.06μm付近における屈折率を示し、δL、δH はそれぞれ第1及び第3層目のSiO2層と第2層目のAl2O3層との位相差を示し、λ0は基本波の発振波長1.06μmを示す。
IPC (2件)：
引用特許：
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