特許

J-GLOBAL ID：200903010214264782

半導体装置の製造方法

発明者： 宮島 秀史 ,  早坂 伸夫 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222016
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088223
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】弗素を含み、SiO2 を主成分とする吸湿性に優れた絶縁膜の形成方法を提供すること。【構成】Si基板31に、弗素を含み、SiO2 を主成分とする絶縁膜32を形成するに際し、絶縁膜32の原料として、Six Hy (x≧1、0≦y≦2x+2)、酸素を含む酸素原料および弗素を含む弗素原料を用い、かつこれら三つの原料のうちの少なくとも一つを、イオンエネルギーが10eV以上のイオンとすることを特徴とする。とを備えている。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に、弗素を含み、SiO2 を主成分とする絶縁膜を形成するに際し、前記絶縁膜の原料として、Six Hy (x≧1、0≦y≦2x+2)、酸素を含む酸素原料および弗素を含む弗素原料を用い、かつ前記三つの原料のうちの少なくとも一つを、イオンエネルギーが10eV以上のイオンとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。