特許
J-GLOBAL ID：200903010222058091
ZnSe単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268933
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133897
出願日： 1994年11月01日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：
【要約】【目的】 融液の温度制御が容易で、引いては生産性に優れ、双晶欠陥のない高品質のZnSe単結晶を容易に製造することができる方法を提供する。【構成】 ZnSe融液52に種結晶51を接触させてZnSe単結晶53を成長させるZnSe単結晶の製造方法であり、過冷却状態のZnSe融液52から準安定相のZnSe立方晶を成長させる。ZnSe融液52の組成は、原子数の比Zn/Seで0.96〜1.04のものがよい。また、過冷却状態のZnSe融液52の温度は1460〜1510°Cにするのがよい。特に、1486〜1506°Cが好ましい。ZnSe融液52のZnの解離圧にほぼ平衡する蒸気圧を有するZn蒸気を含んだ高圧不活性ガス雰囲気中でZnSe立方晶53を成長させることが好ましい。
請求項（抜粋）：
ZnSe融液に種結晶を接触させてZnSe単結晶を成長させるZnSe単結晶の製造方法において、過冷却状態のZnSe融液から準安定相のZnSe立方晶を成長させるZnSe単結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/48
, C30B 11/00
, C30B 15/00
, H01L 21/208
, H01S 3/18
