特許

J-GLOBAL ID：200903010222838216

半導体装置及びその製造方法

発明者： 関 隆行
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371412
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207296
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】アンダーフィル材を均一に充填することにある。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体チップ10と基板20との間にアンダーフィル材40を設けることを含み、基板20には、半導体チップと10重なる領域に、いずれかの方向に細長く延びる複数の凸部30が形成され、アンダーフィル材40を、半導体チップ10よりも外側から、隣同士の凸部30の間に入り込むように注入する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体チップと基板との間にアンダーフィル材を設けることを含み、 前記基板には、前記半導体チップと重なる領域に、いずれかの方向に細長く延びる複数の凸部が形成され、 前記アンダーフィル材を、前記半導体チップよりも外側から、隣同士の前記凸部の間に入り込むように注入する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L21/56

FI (1件)：

H01L21/56 E

Fターム (3件)：

5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA04