特許
J-GLOBAL ID：200903010235179777
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
木下 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369005
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168654
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：
【要約】【課題】 水素ガスを水素ラジカルの活性種にするに際し、活性化の効率を向上させた基板処理装置を提供する。【解決手段】 基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にH2 ガスとN2 ガスの混合ガスを供給するノズル部材6と、前記ノズル部材の下方に配置されたシャワー部材7と、前記シャワー部材の下方に配置された触媒9と、前記触媒の下方に配置された基板を載置する載置台5と、前記チャンバの上部に配置された石英ガラスからなる窓部3aと、前記窓部の上方に配置された加熱手段13とを備えることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
水素ラジカルを用いて基板を処理する基板処理装置において、基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にH2 ガスとN2 ガスの混合ガスを供給するノズル部材と、前記ノズル部材の下方に配置されたシャワー部材と、前記シャワー部材の下方に配置された触媒と、前記触媒の下方に配置された基板を載置する載置台と、前記チャンバの上部に配置された石英ガラスからなる窓部と、前記窓部の上方に配置された加熱手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/285 Z
, H01L 21/28 B
