特許
J-GLOBAL ID：200903010235593883

内部ゲッタリングを有するエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造法

発明者：
グレゴリー・エム・ウィルソン

グレゴリー・エム・ウィルソン について

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ジョン・エイ・ロッシ

ジョン・エイ・ロッシ について

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チャールズ・シー・ヤン

チャールズ・シー・ヤン について


出願人/特許権者：
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-587366
公開番号（公開出願番号）：特表2002-532875
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2002年10月02日
要約：
【要約】本発明は、それに堆積したエピタキシャル層を有する表面を有して成るシリコンウエハの新規製造法に関する。1つの実施態様においては、該方法が、ウエハ出発材料の表面を加熱して、シリコン酸化物層を表面から除去することを含んで成る。表面からシリコン酸化物層を除去してから約30秒以内に、シリコンを含んで成る雰囲気に表面を暴露して、シリコンエピタキシャル層を表面に堆積させて、エピタキシャルウエハを形成する。次に、酸化剤を含んで成る酸化雰囲気にエピタキシャル層を暴露しながら、エピタキシャルウエハを少なくとも約1175°Cのソーキング温度に加熱する。次に、加熱したエピタキシャルウエハを、少なくとも約10°C/秒の速度で冷却する。
請求項（抜粋）：
(a)1つがウエハの前表面であり、もう1つがウエハの後表面である、ほぼ平行な2つの主表面;(b)前表面と後表面の間にあり、前表面と後表面に平行な中央面;(c)前表面から中央面に向かって少なくとも約10μmの距離D1で延在するウエハの領域を有して成る前表面層;および(d)中央面から前表面層に延在するウエハの領域を有して成るバルク層;を有して成る単結晶シリコンウエハであって; 該ウエハが、(a)バルク層が、前表面層よりも高い結晶格子空孔濃度を有し、(b)結晶格子空孔が、中央面においてまたはその近くにおいて、結晶格子空孔のピーク密度を有する濃度プロファイルを有し、および(c)ピーク密度の位置からウエハの前表面に向かって結晶格子空孔の濃度が一般に減少する、結晶格子空孔の不均一分布を有することを特徴とし;および ウエハの前表面が前表面上に堆積したエピタキシャル層を有し、該エピタキシャル層が約0.1μm〜約2.0μmの厚みを有する;単結晶シリコンウエハ。
IPC (2件)：
H01L 21/322 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 21/322 Y ,  H01L 21/205
Fターム (12件)：
5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045HA03 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)
  • THE ENGINEERING OF SILICON WAFER MATERIAL PROPERTIES THROUGH VACANCY CONCENTRATION PROFILE CONTROL A

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