特許

J-GLOBAL ID：200903010238613931

エピタキシャルウエハの製造方法

発明者： 佐藤忠重
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 蛭川 昌信 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139625
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335555
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 ドーパントを再現性よく、かつ高濃度に容易にドープ可能にする。【構成】 III -V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法において、P型の層を気相成長法で成長させる際に、金属亜鉛、金属マグネシウムのような単体金属をドーパント源とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

III -V族化合物半導体エピタキシャルウエハの製造方法において、P型の層を気相成長法で成長させる際に、単体金属をドーパント源とすることを特徴とするエピタキシャルウエハの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/08 Z ,  C30B 29/44 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭51-126049
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭59-103329