特許

J-GLOBAL ID：200903010241111645

光起電力素子の短絡箇所除去方法

発明者： 川上 総一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305257
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226678
出願日： 1991年10月24日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 光起電力素子の短絡箇所を非接触状態で容易に除去可能な方法を提供するものである。【構成】 光入射窓106を有し、反応液105で満たされた反応容器108内に光起電力素子100を装填し、前記光入射窓lO6を介して透明導電体101側から光107を入射し、その導電体層103と透明導電体層101の間における半導体層102に形成された短絡箇所104をエッチング除去する。

請求項（抜粋）：

少なくとも導電体層、半導体層、及び透明導電層がその順序で積層されて成り、前記導電体層と透明導電層との間に短絡箇所が形成された光起電力素子を反応溶液に浸し、該光起電力素子に対して少なくとも光起電力が発生させるための光照射を行うことにより前記短絡箇所を除去することを特徴とする光起電力素子の短絡箇所除去方法。