特許

J-GLOBAL ID：200903010242581416

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 早坂 暢仁 ,  鈴木 範之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-250845
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121695
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 本発明は半導体記憶装置及びその製造方法に関し、半導体記憶装置のデータの保持特性を向上させ、且つ、集積性も向上させることを目的とする。【構成】 メモリ・セルを構成するトランスファ・ゲート・トランジスタT3 及びT4 のドレイン領域9TGに於ける不純物濃度がドライバ・トランジスタT1 及びT2 のドレイン領域9DRに於ける不純物濃度に比較して低くなるようにし、メモリ・セルのディメンションなどを変えることなく、電流駆動能力の比、即ち、セル・レシオを大きくとれるようにして、集積性に何らの影響も与えずにデータの保持特性を良好に維持できるよう構成する。

請求項（抜粋）：

メモリ・セルを構成するトランスファ・ゲート・トランジスタのドレイン領域に於ける不純物濃度がドライバ・トランジスタのドレイン領域に於ける不純物濃度に比較して低くなっていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/11 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 301 S