光・電子デバイスを有する装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三俣弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118454
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129645
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】ドーピングされた非対称な超格子構造を有する新規な高速の半導体フォト・ディテクター手段を提供する。【構成】本発明の超格子構造の材料には、比較的に短い(代表的にはτ<SP>e</SP> <10<SP>-9</SP>秒)、少数キャリヤー有効寿命τ<SB>e</SB>が関係付けられる。適当な波長の一定なフォトン・フラックスに応じて、このフォト・ディテクターは、小さい値のフラックスに対してはフォトン・フラックスに比例し、大きな値のフラックスに対してはτ<SB>e</SB><SP>-1</SP>に比例する値で飽和する、一定な電圧出力を持つことができる。この本発明のフォト・ディテクター手段はFETまたはバイポーラ・トランジスターと複合化することができる利点があり、この複合体を集積回路の一部に構成することができる。

請求項（抜粋）：

a)主面を有し、且つ、化学的な組成が前記主面からの距離の関数として周期的に変化する「超格子領域」と呼ばれるドーピング領域を有し、この超格子領域には少数キャリヤーの有効寿命τe及び最小バンドギャップ・エネルギーΔが関係付けられ、この超格子領域中の前記化学的な組成がこの超格子領域が前記主面と垂直な方向における反射対称性を欠くように変化している半導体基板と、b)前記超格子領域を横断して現われる電圧を応答手段へ供給することを可能にする前記半導体基板との電気的接続手段とを有る装置において、前記少数キャリヤー有効寿命τeが、Δ/h(h;プランクの定数)で与えられる値より大きい周波数ν(ν > Δ/h)を持つ一定フラックスの電磁信号放射線が前記半導体基板に入射するときに前記超格子領域を横断して現われる実質的に一定な電圧が、比較的に小さい値の前記フラックスに対してはそのフラックスに比例し、比較的に大きい値の前記フラックスに対しては0.01ボルトの少なくともN倍の値(Nは超格子の周期を示す1または1以上の整数)を持つVmaxに飽和するように、選択されることを特徴とする光・電子デバイスを有する装置。

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