特許

J-GLOBAL ID：200903010246607479

半導体洗浄装置

発明者： 岩崎 武正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-144324
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017891
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体洗浄乾燥プロセスのように複数の処理作業を一連の作業として行なう装置の構成に関して、その目的は、半導体生産で必要なクリーンルームのような高清浄度エリアを有効に活用できるように、装置の形状を自由に変更できるように洗浄乾燥プロセスの各処理単位に独立させた装置構成を提供することにある。【構成】半導体製造におけるウェハ表面の清浄処理、レジスト膜除去、ウェットエッチ、ナイトライト膜除去等洗浄乾燥プロセスを行なう処理設備において、異物除去処理、金属剥離処理、有機物剥離処理、イオン種除去処理、酸化膜剥離処理、乾燥処理の単位に、処理対象物(ウェハ又はカートリッジ)を各機能単独で処理できるように独立させ、任意の処理単位の組合せで、必要な洗浄処理を行なう半導体洗浄装置。

請求項（抜粋）：

半導体製造におけるウェハ表面の清浄処理、レジスト膜除去、ウェットエッチ、ナイトライト膜除去等洗浄乾燥プロセスを行なう処理設備において、異物除去処理、金属剥離処理、有機物剥離処理、イオン種除去処理、酸化膜剥離処理、乾燥処理の単位に、処理対象物(ウェハ又はカートリッジ)を各機能単独で処理できるように独立させ、任意の処理単位の組合せで、必要な洗浄処理を行なうことを特徴とした半導体洗浄装置。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 351 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/30 569 D ,  H01L 21/306 J