特許

J-GLOBAL ID：200903010250183284

コンタクト形成法

発明者： 大村 昌良
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029979
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198791
出願日： 1992年01月21日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】 良好なショットキー又はオーミックコンタクトを形成するための簡単な方法を提供する。【構成】 シリコン基板20の表面にN+ 型領域32を形成した後、領域32を覆って絶縁膜36を形成し、絶縁膜36にはコンタクト孔38Dを設ける。そして、コンタクト孔38Dを介して基板表面にP型決定不純物をドープすることにより被接触部のN型決定不純物の濃度を1015[cm-3]以下に低下させてから、HFを含むpH5〜6のエッチ液を用いてコンタクト孔38D内で被接触部の汚染層、ダメージ層、自然酸化膜等を除去する。この後、清浄な被接触部に対してシリサイド等の導電層46を被着してショットキーコンタクトを形成する。オーミックコンタクトを形成する場合は、被接触部に導電層46を介してN型決定不純物をドープして高濃度領域52を形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板の表面に比較的高濃度のN型領域を形成する工程と、(b)前記半導体基板の表面に前記N型領域を覆って絶縁膜を形成する工程と、(c)前記絶縁膜に前記N型領域の一部に対応したコンタクト孔を形成する工程と、(d)前記コンタクト孔を介して前記N型領域の表面部分にP型決定不純物をドープすることにより該表面部分でのN型決定不純物の濃度を比較的低い値に変更する工程と、(e)前記コンタクト孔内で前記N型領域の比較的低濃度の表面部分をエッチングにより清浄化する工程と、(f)前記コンタクト孔内で前記N型領域の清浄化された表面部分にショットキーバリヤ形成材を被着してショットキーコンタクトを形成する工程とを含むコンタクト形成法。

IPC (2件)：

H01L 29/48 ,  H01L 21/28