特許
J-GLOBAL ID：200903010250825014
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-284775
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142538
出願日： 1993年11月15日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 パッド電極の寄生容量の経時変化を無くし、スイッチオン時におけるON時ショック音の発生を防止した半導体装置を提供することである。【構成】 本発明による半導体装置は、P型領域13により素子分離されたN-エピタキシャル層12a上に酸化膜14を介して設けられたパッド電極17と、N-エピタキシャル層12aと電気的に接続されたポリシリコン抵抗層16と、該ポリシリコン抵抗層16を安定な高電位(例えばVcc電位)に接続させる導電層18bとを含み、N-エピタキシャル層12aを常に一定の電位に保持し、パッド電極17の寄生容量の変化を防止する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、上記半導体基板上に設けられ、一導電型の半導体層により分離された反対導電型のエピタキシャル層と、上記素子分離されたエピタキシャル層のうちの第1のエピタキシャル層上に絶縁膜を介して形成されたパッド電極と、上記第1のエピタキシャル層の電位を一定の電位に保持する手段とを具備する半導体装置。
引用特許：
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