特許
J-GLOBAL ID：200903010251133051
歪超格子の混晶化法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-251660
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090714
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 混晶化領域に不純物を導入することなく、クラッド層を成長した後に、ウエハ面内の一部を短時間熱処理することにより、で容易に歪超格子を光化する方法を提供することにある。【構成】 歪超格子層を含んだ半導体素子の上に、SiO2などの誘電体膜を装荷し、水素などの還元雰囲気中で 590°C〜640 °Cで最大60分の熱処理を行う歪超格子の結晶化法である。
請求項（抜粋）：
共に III-V族化合物半導体からなり、この二つが互いに異なるエネルギーギャップを有し、かつ共に比較的薄い厚さを有し、かつ少なくともその一つの半導体は、圧縮または伸長の歪を有する第一および第二の半導体結晶層が交互順次に1回、または複数回繰り返し積層されている III-V族化合物半導体積層体であり、この積層体を混晶化するにあたり、前記 III-V族化合物半導体積層体上部に絶縁膜を形成するか、または前記 III-V族化合物半導体積層体を、該積層体の第一第二いずれの半導体のバンドギャップよりも大きく、かつ該積層体の屈折率より屈折率の小さいp型領域とn型領域の物質で挟んだ化合物半導体の上部に絶縁膜を形成し、これを、還元雰囲気中で、 590°C〜640 °Cで熱処理することを特徴とする歪超格子の混晶化法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 27/15
, H01L 33/00
, H01L 21/324
