特許
J-GLOBAL ID：200903010259103860
露光方法、それに用いるマスク及びこれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194643
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050243
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 パターン設計を容易にしながら確実な露光が行えるようにする。【構成】 投影露光によって露光波長より短い間隔で少なくとも3以上の回路パターンを半導体ウェハ上に露光するに際し、少なくとも3つのパターンの内の1つのパターンをx方向、またはy方向に所定間隔毎に分割して、その他のパターンを含めてグループ分けし(ステップ104)、このグループ分けに対応させて、マスク上で透過する光の位相を所定間隔毎に順次反転させる位相シフトマスクを形成し(ステップ107〜109)、さらに、分割の境界領域を覆う領域のパターンデータに基づいて遮光マスクを形成し(ステップ114〜117)、前記2つのマスクの相対位置を変えずに各々のマスクのパターンの投影像を露光装置の投影光学系を介して、試料上に結像させる(ステップ109)。
請求項（抜粋）：
露光波長程度またはそれより短い間隔で複数のパターンが形成されたマスクの光透過領域の所定位置に設けた位相シフタによって透過光に位相差を生じさせて試料上に前記パターンの投影像を露光する露光方法であって、前記露光によって形成される少なくとも1つの連続したパターンに対し、その光透過領域を通過した透過光に位相反転の境界が生じるパターン部分と、これ以外のパターン部分とを異なるマスクに分割して形成し、この2つのマスクの相対位置を合致させて露光を行うことを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 528
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 C
