特許
J-GLOBAL ID：200903010259559147
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112873
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099245
出願日： 1994年05月26日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 接続部を設ける位置の制約を受けることなく、多層金属配線を形成するための工程数を低減する。【構成】 絶縁膜21、第1の層間絶縁膜22及び第2の層間絶縁膜23を基板垂直方向に貫通して延びるようにスルーホールが形成され、該スルーホールに金属材料が充填されたコンタクト51が形成されている。(1)は3層目の金属配線43Bと1層目の金属配線41Bとの接続を示し、(2)は3層目の金属配線43Bと2層目の金属配線42Bと半導体基板1との接続を示し、(3)は3層目の金属配線43Bと2層目の金属配線42Bと1層目の金属配線41Bと半導体基板1との接続を示し、(4)は2層目の金属配線42Bと半導体基板1(図中、ポリシリコン電極1b)との接続を示し、(5)は1層目の金属配線41Bと半導体基板1との接続を示している。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して形成された下層金属配線と、該下層金属配線の上方に第1の層間絶縁膜を介して形成された中間層金属配線と、該中間層金属配線の上方に第2の層間絶縁膜を介して形成された上層金属配線と、前記下層金属配線の所定部位に形成され該下層金属配線が切欠されてなる下層金属配線切欠部と、前記中間層金属配線における前記下層金属配線切欠部の上方に形成され該中間層金属配線が前記下層金属配線切欠部よりも小さく切欠されてなる中間層金属配線切欠部と、前記絶縁膜、下層金属配線切欠部、第1の層間絶縁膜、中間層金属配線切欠部及び第2の層間絶縁膜を基板垂直方向に貫通して延びるように形成され前記下層金属配線切欠部の壁面を露出させない一方前記中間層金属配線切欠部の壁面を露出させるスルーホールと、該スルーホールに充填された金属材料よりなり下端部が前記半導体基板に接続しているコンタクトとを備えていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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