特許

J-GLOBAL ID：200903010264034940

複合半導体装置

発明者： 神力 愛晴
出願人/特許権者： 日本インター株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121645
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249714
出願日： 1994年03月09日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】 温度補償板、ゲル状絶縁物及び絶縁ケースを不要とし、組立工数、部品点数、及び製造原価等を低減し得る複合半導体装置を提供すること。【構成】 アルミニューム基板22の熱膨張率よりも小さい熱膨張率の樹脂を用いて樹脂モールド部23を形成する。これにより樹脂の硬化する時の収縮によるアルミニューム基板22の反りが最小限となる。このため、従来使用していた温度補償板、ゲル状絶縁物及び絶縁ケースが不要となり、組立工数、部品点数、製造原価等の低減を図ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁層を介して導体パターンが形成されたアルミニューム基板と、前記導体パターン上に半導体チップが直接ソルダ付けされると共に、前記導体パターン上から導出される外部導出端子を備え、前記アルミニューム基板の上面、前記半導体チップ、及び前記外部導出端子の一部が、前記アルミニューム基板の熱膨張率よりも小さい熱駆張率の樹脂により封止されたことを特徴とする複合半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-170248
  
• 特開昭61-251156
  
• 特開昭60-170248
  
• 特開昭61-251156