特許

J-GLOBAL ID：200903010267724181

半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 昭男 ,  今井 雅彦 ,  堀江 博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100574
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294361
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面に孤立した微細なパターンがある場合にも、安定して表面を平坦化することができる方法を提供する。【解決手段】 表面に凹凸を有する半導体基板を準備する。半導体基板の表面の凹部内に熱硬化性樹脂からなる埋込材を配置する。埋込材を加熱して硬化させる。硬化した埋込材と半導体基板の表面の凸部とを同時に研磨し、表面を平坦化する。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程と、前記半導体基板の表面の凹部内に熱硬化性樹脂からなる埋込材を配置する工程と、前記埋込材を加熱して硬化させる工程と、前記硬化した埋込材と前記半導体基板の表面の凸部とを同時に研磨し、表面を平坦化する工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/304 321

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/304 321 S