特許
J-GLOBAL ID:200903010270307079
多層配線板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
鳴井 義夫 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281630
公開番号(公開出願番号):特開2001-102759
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 微細配線化しても信頼性が高く、高速信号用配線が可能な、生産性の高い逐次多層配線板の製造法を提供する。【解決手段】 接続バイアを形成して層間接続を行う多層配線板の製造方法において、(a)変性ポリフェニレンエーテル、(b)トリアリルイソシアヌレート、(c)水添ブロック共重合体、及び(d)最大粒径が7μm 以下の球状シリカからなり、かつ(a)成分と(b)成分の和100重量部を基準として、(a)成分を40〜98重量部、(b)成分を60〜2重量部、(c)成分を1〜15重量部、(d)成分を50〜120重量部含有する熱硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成された樹脂付金属箔を用いる多層配線板の製造方法。
請求項(抜粋):
樹脂付金属箔を、基板の導体層が形成された面に積層した後、該樹脂付金属箔の所要の部位に上記導体層が底面に露出する開口部をレーザー加工により形成し、該開口部にめっきを施して層間の接続バイアを形成する多層配線板の製造方法において、上記樹脂付金属箔が、(a)ポリフェニレンエーテルを不飽和カルボン酸または酸無水物と反応させることによって得られた変性ポリフェニレンエーテル、(b)トリアリルイソシアヌレート、(c)少なくとも1個のビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロックАおよび少なくとも1個の共役ジエン化合物を主体とする重合体ブロックBとからなるブロック共重合体を水素添加して得られる水添ブロック共重合体、及び(d)最大粒径が7μm 以下の球状シリカからなり、かつ(a)成分と(b)成分の和100重量部を基準として、(a)成分を40〜98重量部、(b)成分を60〜2重量部、(c)成分を1〜15重量部、(d)成分を50〜120重量部含有する熱硬化性ポリフェニレンエーテル系樹脂組成物の膜が金属箔の表面に形成された樹脂付金属箔であることを特徴とする多層配線板の製造方法。
IPC (8件):
H05K 3/46
, C08K 13/02
, C08L 53/02
, C08L 71/10
, H05K 1/03 630
, H05K 3/00
, C08K 3:36
, C08K 5:3477
FI (10件):
H05K 3/46 T
, H05K 3/46 G
, H05K 3/46 N
, C08K 13/02
, C08L 53/02
, C08L 71/10
, H05K 1/03 630 H
, H05K 3/00 N
, C08K 3:36
, C08K 5:3477
Fターム (17件):
4J002BP012
, 4J002CH071
, 4J002DJ017
, 4J002EU196
, 4J002FA087
, 4J002GQ05
, 5E346AA42
, 5E346CC08
, 5E346DD23
, 5E346DD44
, 5E346EE13
, 5E346FF07
, 5E346FF13
, 5E346GG15
, 5E346GG18
, 5E346HH07
, 5E346HH31
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