特許
J-GLOBAL ID：200903010276142136
フォトニックバンドギャップ構造を用いたフォトニック信号の周波数変換
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-542693
公開番号（公開出願番号）：特表2002-510809
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 2002年04月09日
要約：
【要約】フォトニックバンドギャップ(PBG)、2分の1/4分の1波長の混合、および周期的構造に基づいた新規なSH発生器について説明する。エネルギー出力および変換効率はどちらとも、比較可能な長さの位相整合されたバルクデバイスよりも、大きさがほぼ3桁大きい。GaAS/AlAs半導体の周期的構造についても同様の結果が発見された。これらの結果は、周波数上昇および下降変換レーザ、より高いおよびより低い高調波発生、およびラマンタイプのレーザにおいて、即時型の用途を有し、ストークスまたは反ストークス共鳴が、バンドエッジ近傍で増強または抑制され得る。この基礎となるメカニズムは概して、フィールドを強力に制限し、より長い相互作用時間を可能にし、実効利得長さを増加し、変換効率を改善することを必要とする。しかし、強力なポンプ制限だけででも、有意に改善されたSH発生の結果を得ることができる。
請求項（抜粋）：
デバイスに入射する入力フォトニック信号と異なる周波数を有するフォトニック信号を発生するためのデバイスであって、該入力フォトニック信号は、入力フォトニック信号周波数および入力フォトニック信号帯域幅を有し、 複数の第1の材料層と、 複数の第2の材料層と、 を含む、デバイスであって、 該第1および第2の材料層は、該デバイスがフォトニックバンドギャップ構造を呈するよう構成され、該フォトニックバンドギャップ構造は、該入力フォトニック信号周波数に対応する透過バンドエッジを呈し、該入力フォトニック信号と該層の構成との相互作用により、第2の周波数で第2のフォトニック信号が発生し、該第2の周波数は該第1の周波数とは異なる、デバイス。
Fターム (6件)：
2K002AB12
, 2K002CA13
, 2K002DA10
, 2K002DA11
, 2K002EA07
, 2K002HA20
