特許
J-GLOBAL ID：200903010276546040
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-065904
公開番号（公開出願番号）：特開平9-259584
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルアレイ部11〜14と降圧回路装置40とを有するコンパクトでかつ少ない消費電流の半導体装置を提供する。【解決手段】 降圧回路装置40は、メモリセルアレイ部11〜14に対応したドライバ回路21〜24と、唯一のコントロール回路20とを有する。ドライバ回路の各々は、外部電源電圧VEXTのメモリセルアレイ部の内の対応する一つへの供給を、コントロール信号C1に従ってオンオフすることにより、内部電源電圧INTSを生成し、この内部電源電圧によりメモリセルアレイ部の内の対応する前記一つをドライブする。コントロール回路は、メモリセルアレイ部に共通に接続され、内部電源電圧を、外部電源電圧より低いリファレンス電圧REFに比較し、内部電源電圧がリファレンス電圧を越えないようにコントロール信号を発生し、このコントロール信号をドライバ回路に共通に供給する。
請求項（抜粋）：
複数のセルアレイ部と、外部電源電圧を、この外部電源電圧より低いリファレンス電圧を越えない内部電源電圧に降圧し、この内部電源電圧を前記複数のセルアレイ部に共通に供給する降圧回路装置とを有する半導体装置において、前記降圧回路装置は、前記複数のセルアレイ部に対応して設けられた複数のドライバ回路と、唯一のコントロール回路とを有し、前記複数のドライバ回路の各々は、前記外部電源電圧の前記複数のセルアレイ部の内の対応する一つへの供給を、コントロール信号に従ってオンオフすることにより、前記内部電源電圧を生成し、この内部電源電圧により前記複数のセルアレイ部の内の対応する前記一つをドライブするものであり、前記コントロール回路は、前記複数のセルアレイ部に共通に接続され、前記内部電源電圧を前記リファレンス電圧に比較し、前記内部電源電圧が前記リファレンス電圧を越えないように前記コントロール信号を発生し、このコントロール信号を前記複数のドライバ回路に共通に供給するものであることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G11C 11/407
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
G11C 11/34 354 F
, H01L 27/10 681 E
