特許
J-GLOBAL ID：200903010280646017
単結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-199417
公開番号（公開出願番号）：特開平8-059389
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体はもちろんあらゆる電子工業の素子を形成する材料の単結晶成長技術に関し、特に液相叉は気相から種結晶を用いらせん転位のステップの成長により単結晶成長を行う材料(例えば炭化珪素SiC)に有効で、欠陥の少ない単結晶を低温で成長可能とする技術を供給することを目的とする。【構成】 種結晶1の成長表面2にらせん転移の中心として機能する特異点10として、人為的に突起・へこみ・不純物を導入し、結晶成長させる。【効果】 制御されて導入された特異点をらせん転位の中心として機能させることにより、単結晶成長中のランダムに発生するらせん転位が抑制され、欠陥の少ない単結晶が低温で成長可能となる。
請求項（抜粋）：
種結晶の成長表面に、特異点を少なくとも1つ導入し、前記表面上に単結晶を成長させることを特徴とする単結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 23/00
, C30B 29/36
, H01L 21/203
