特許
J-GLOBAL ID：200903010283879004
半導体薄膜気相成長方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 英俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222372
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078771
出願日： 1993年09月07日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：
【要約】【目的】 反応容器と内筒との製作上の制約をなくし、且つ半導体薄膜形成時の内筒の温度を容易に最適値に制御できる半導体薄膜気相成長法を提供する。【構成】 反応容器1内にその内壁に沿って内筒9を配置し、内筒9の内側にサセプタ2を配置し、反応容器1の外周に冷却ジャケット7を配置し、反応容器1の外周に冷却ジャケット7を介して高周波誘導加熱コイル6を配置する。処理すべき半導体基板4を支持したサセプタ2を高周波誘導加熱コイル6で加熱しつつ、サセプタ2の外周に原料ガスを流して半導体基板4の表面に半導体薄膜を気相成長させる。この際に、内筒9の内面と外面とに沿ってパージガスを流す。
請求項（抜粋）：
反応容器内にその内壁に沿って内筒を配置し、前記内筒の内側にサセプタを配置し、前記反応容器の外周を冷却媒体で冷却しつつ、且つ処理すべき半導体基板を支持した前記サセプタを加熱しつつ、前記サセプタの外周に原料ガスを流して前記半導体基板の表面に半導体薄膜を気相成長させる半導体薄膜気相成長方法において、前記内筒の内面と外面とに沿ってパージガスを流しつつ前記気相成長を行わせることを特徴とする半導体薄膜気相成長方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
