特許
J-GLOBAL ID：200903010285696853
半導体基板の製造方法および半導体基板
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-169921
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198543
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の製造法、および、へき開面に沿う結晶方向以外の結晶方向にほぼ沿って向けられたデバイス、ならびに各方法により製造される基板およびデバイスを得ることである。【構成】 単結晶材料のインゴットを製造し、へき開面に沿う結晶方向以外の結晶方向を示すために印をつける。インゴットをラップ研磨して、へき開面に沿う結晶方向以外の結晶方向を示す印を有する半導体基板を製造する。へき開面に沿う結晶方向以外の結晶方向にフィールド酸化物区域縁部またはゲート電極がほぼ沿うように、単結晶層を有する半導体基板上にデバイスが形成される。本発明は、転位欠陥、横方拡散、または横方向酸化を最小にすべき任意のデバイスに使用できる。
請求項（抜粋）：
単結晶物質のインゴットを製造する工程と、へき開面に沿う結晶方向以外の結晶方向を示すために単結晶物質にマークをつける工程と、インゴットをラップ研磨して基板を製造する工程と、を備えることを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/02
