特許

J-GLOBAL ID：200903010286450106

基板からフォトレジストを除去する非プラズマ法

発明者： バネルジー,ソウヴィク ,  ボレイド,ラメッシュ・ビー ,  クロス,ペッジ ,  ラガバン,スリニ
出願人/特許権者： ビーオーシー・エルエルシー ,  ジ・アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ・オン・ビハーフ・オブ・ザ・ユニバーシティー・オブ・アリゾナ
代理人 (6件)： 小野 新次郎 ,  社本 一夫 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  相馬 貴昌
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-536559
公開番号（公開出願番号）：特表2009-513015
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：

半導体ウエハなどの基板からイオン注入フォトレジストを除去する方法であって、フォトレジストのクラストとバルク層との界面を変形するためにフォトレジストを加熱すること、及び、前記フォトレジストに亀裂を生じさせるために加熱温度を調節することからなる前記方法を提供する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基板から除去するためにハードベーキングしたフォトレジストを弱める方法であって、フォトレジストのクラストとバルク層の界面を変形させるためにフォトレジストを加熱すること、及び、前記フォトレジストをクラッキングさせるために加熱温度を制御することを含む、前記方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 572B

Fターム (1件)：

5F046NA16