カーボンナノチューブの製造方法および多孔質SiC材料の製造方法および多孔質SiC材料

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109820
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294413
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】 SiCの昇華分解によるカーボンナノチューブの生成を容易に制御でき、工業的に安定して高い収率でカーボンナノチューブを製造する方法および上記昇華分解によりカーボンナノチューブを生成するのに適した多孔質SiC材料の製造方法およびそれにより製造される多孔質SiC材料を提供する。【解決手段】多孔質炭素材料の細孔にSiを含浸させ、熱処理することにより多孔質SiC材料を生成させる。この多孔質SiC材料を真空下で熱処理して昇華分解させることによりカーボンナノチューブを生成させる。典型的には、多孔質炭素材料として炭化された木材を用い、細孔は木材の導管に対応する。

請求項（抜粋）：

下記の工程:多孔質炭素材料の細孔内にSiを含浸させる工程、上記含浸後の多孔質炭素材料を熱処理することにより該多孔質炭素材料の炭素と該含浸されたSiとを反応させて多孔質SiC材料を生成させる工程、および該多孔質SiC材料を真空下で熱処理して昇華分解させることによりカーボンナノチューブを生成させる工程、を含むことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 , C01B 31/36 601

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F , C01B 31/36 601 C

Fターム (5件)：

4G046CA00 , 4G046CB01 , 4G046CC03 , 4G046MA14 , 4G046MC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-177384
特開昭61-014171
炭化ケイ素反応焼結体の製造装置および焼結体の連続製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-127265 出願人：財団法人韓国科学技術研究院

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