特許

J-GLOBAL ID：200903010298348072

半導体装置の製造方法

発明者： 那須 雅明 ,  足立 浩一郎 ,  藤本 好司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-263903
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106938
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板の表面上に塗布されたレジストを簡単かつ寸法精度良くパターン加工できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 マスク2を通してレジスト4に光1を照射して、露光部分3に活性水素を有する官能基又は化合物を生じさせる。レジスト表面4aにシリル基を有する珪素化合物を供給して、上記官能基又は化合物の活性水素をシリル基で置換し、露光部分3の表面3aを非露光部分13の表面13aに対して選択的にシリル化する。レジスト表面4aに酸素プラズマを照射して、露光部分3の表面3aを非露光部分13の表面13aに対して選択的に親水性に変化させる。珪弗化水素酸水溶液を用いた液相成長法により、露光部分3の親水性表面3aに非露光部分13の表面13aに対して選択的にシリコン酸化膜12を形成する。シリコン酸化膜12をマスクとして異方性を示すドライエッチングを行って、レジスト4を加工する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に塗布されたレジストをパターン加工する半導体装置の製造方法であって、上記レジストの表面に対向させて配置したマスクを通して上記レジストに光を照射する工程と、上記レジストの表面にシリル基を有する珪素化合物を供給して、上記光を受けた露光部分の表面を非露光部分の表面に対して選択的にシリル化する工程と、上記レジストの表面に酸素プラズマを照射して、シリル化された上記露光部分と酸素とを反応させて、上記露光部分の表面を上記非露光部分の表面に対して選択的に親水性に変化させる工程と、珪弗化水素酸水溶液を用いた液相成長法により、上記親水性に変化した露光部分の表面に上記非露光部分の表面に対して選択的にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記シリコン酸化膜をマスクとして異方性を示すドライエッチングを行って、上記レジストを加工する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/30 514 C ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 A ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 J