特許

J-GLOBAL ID：200903010308888500

半導体素子とその製造方法

発明者： 李 相 惇 ,  金 炳 洙 ,  李 昌 勳 ,  李 受 哲
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147114
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189334
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 原価節減を図りながらもUBM(Under Bump Metallurgy)の転位層(phased layer)の信頼性を確保することができる半導体素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 導電性電極パッド11を有する半導体基板10と、前記電極パッド11上に形成される下層の第1金属層51、上層の第3金属層55及びこれらの間の転位層53を有し、前記転位層53を前記第1金属層51と同一な材質の第2金属層151,251及び第3金属層55と同一材質の第4金属層155,255が交互に積層され、前記第2金属層151,251の厚さが前記第1金属層51から前記第3金属層53の方へ向うほど漸次薄くなり、前記第4金属層155,255の厚さが前記第1金属層51から前記第3金属層55の方へ向うほど漸次厚くなるUBM50と、前記UBM50上に形成された導電性バンプ41と、から構成される。

請求項（抜粋）：

導電性電極パッドを有する半導体基板と、前記電極パッド上に形成される下層の第1金属層、上層の第3金属層及びこれらの間の転位層を有し、前記転位層では前記第1金属層と同一材質の第2金属層、及び第3金属層と同一材質の第4金属層が交互に積層され、前記第2金属層の厚さが前記第1金属層から前記第3金属層の方へ向うほど漸次薄くなり、前記第4金属層の厚さが前記第1金属層から前記第3金属層の方へ向うほど漸次厚くなるUBMと、前記UBM上に形成された導電性バンプと、から構成されることを特徴とする半導体素子。

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭56-007452
  
• 特開昭59-172745
  
• 特開平4-333392