特許
J-GLOBAL ID:200903010309557299

ポジ型感光性組成物を用いる塗設物及びそれを用いるパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-018916
公開番号(公開出願番号):特開平10-213904
出願日: 1997年01月31日
公開日(公表日): 1998年08月11日
要約:
【要約】【課題】ミクロフォトファブリケーションにおいて一層のレジストパターンプロファイルの改善と解像力の向上を達成する。【解決手段】基板上に反射防止膜を設け、その上に(A)特定の置換基を持つベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸とスルホニウム又はヨードニウムとの塩からなる光酸発生剤及び(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂を含むポジ型レジスト組成物層を設けたことを特徴とする塗設物、及び該塗設物を用いるパターン形成方法。
請求項(抜粋):
基板上に反射防止層を設け、その上に下記(A),(B)を含むポジ型レジスト組成物層を設けたことを特徴とする塗設物。(A)活性光線または放射線の照射により、スルホン酸を発生する下記一般式(1)または(2)で表される化合物。【化1】【化2】式中、R1 〜R5 は各々水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、又は-S-R6 基を示す。R6 はアルキル基、又はアリール基を示す。X- は、炭素数1個の置換基を3個以上有するか、もしくは全置換基の炭素数が4個以上となる置換基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。(B)酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂。
IPC (7件):
G03F 7/039 601 ,  C09D 5/00 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/027
FI (8件):
G03F 7/039 601 ,  C09D 5/00 M ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/004 506 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/11 503 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574

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