特許
J-GLOBAL ID:200903010312114985
エレクトロルミネセントデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (6件):
熊倉 禎男
, 弟子丸 健
, 井野 砂里
, 松下 満
, 倉澤 伊知郎
, 山本 泰史
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-500980
公開番号(公開出願番号):特表2009-530788
出願日: 2007年03月13日
公開日(公表日): 2009年08月27日
要約:
少なくとも1つの一次放射線(52)を少なくとも部分的に吸収し、前記一次放射線(52)を少なくとも1つの二次放射線(53)に変換するために設けられた多数の孔(32)を有するセラミック材料(31)を含む変換素子(3)であって、この変換素子(3)は、セラミック材料(31)の理論的固体状態の密度の97%以上の密度を有し、変換素子(3)内の孔(3)は、実質的に200nm〜5000nmの間の径を有する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
少なくとも1つの一次放射線を少なくとも部分的に吸収し、前記一次放射線を少なくとも1つの二次放射線に変換するために設けられた多数の孔を有するセラミック材料を含む変換素子において、前記変換素子は、前記セラミック材料の理論的な固体状態の密度の97%以上の密度を有し、前記変換素子内の孔は、実質的に200nm〜5000nmの間の径を有する変換素子。
IPC (4件):
H05B 33/12
, H01L 33/00
, H01L 51/50
, H05B 33/10
FI (4件):
H05B33/12 E
, H01L33/00 N
, H05B33/14 A
, H05B33/10
Fターム (15件):
3K107AA00
, 3K107CC02
, 3K107CC04
, 3K107EE25
, 3K107EE29
, 3K107FF02
, 3K107FF06
, 3K107FF14
, 3K107FF15
, 3K107FF17
, 3K107GG26
, 5F041AA03
, 5F041DA45
, 5F041DA57
, 5F041EE25
引用特許:
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