特許
J-GLOBAL ID：200903010319308793
プラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261327
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102898
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：
【要約】【課題】 直径300mm以上の大口径ウェーハを均一安定に、かつ、超微細高速加工性と高エッチング選択性を両立させる。【解決手段】 平行平板型低周波ECRプラズマエッング装置で、400〜480MHzのマイクロ波パワーを印加し、磁場強度を120〜200Gaussとして、酸化膜エッチングを行う。【効果】 本発明により、0.3μm以下の微細パターンの高速かつ高選択性のエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
400〜480MHzのマイクロ波を利用してエッチングガス種をプラズマ化し、試料をエッチング処理することを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 A
, H05H 1/46 A
