特許

J-GLOBAL ID：200903010319577530

端面発光型薄膜エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 木戸 房吉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096857
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 端面からの発光の光学レンズに対する集光効率を大幅に向上させることを可能とする端面発光型薄膜エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。【構成】 基板と、この基板上に形成された第1の誘電体層と、この第1の誘電体層上に形成された、光導波路を構成する発光層と、この発光層上に形成された第2の誘電体層とを具備し、発光層の端面から光を取り出す端面発光型薄膜エレクトロルミネッセンス素子。発光層の端面からの光の光路上には光学レンズが配置されており、基板の端面から発光層の端面までの距離dは、下記式を満足することを特徴とする。d≦h(n2 -N2 )1/2 /N式中、h:基板面から発光層までの高さN:光学レンズの開口数n:発光層の端面と光学レンズの間の媒質の屈折率

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された第1の誘電体層と、この第1の誘電体層上に形成された、光導波路を構成する発光層と、この発光層上に形成された第2の誘電体層とを具備し、前記発光層の端面から光を取り出す端面発光型薄膜エレクトロルミネッセンス素子において、前記発光層の端面からの光の光路上には光学レンズが配置されており、前記基板の端面から前記発光層の端面までの距離dは、下記式を満足することを特徴とする端面発光型薄膜エレクトロルミネッセンス素子。d≦h(n2 -N2 )1/2 /N式中、h:基板面から発光層までの高さN:光学レンズの開口数n:発光層の端面と光学レンズの間の媒質の屈折率

IPC (5件)：

H05B 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455 ,  G02B 27/00

FI (2件)：

B41J 3/21 L ,  B41J 3/21 T