特許

J-GLOBAL ID：200903010330229250

シリコンカーバイト単結晶薄膜の形成方法

発明者： 末光 眞希
出願人/特許権者： 株式会社 東北テクノアーチ
代理人 (1件)： 重信 和男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072513
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264792
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 シリコンカーバイト単結晶層を安定して形成する。【解決手段】 少なくとも表面にシリコン単結晶層を有する基材を真空容器内に配置し、該基材を所定温度に加熱するとともに該真空容器内部に少なくとも炭素原子および硅素原子を含有する化合物を導入することにより、前記シリコン単結晶層表面にシリコンカーバイト単結晶薄膜を形成するシリコンカーバイト単結晶薄膜の形成方法において、前記真空容器内に導入される少なくとも炭素原子および硅素原子を含有する化合物の分圧;N×10-XTorrを1≦N<10、4≦X、(Xは自然数)に設定してシリコンカーバイト単結晶薄膜の成長を行う。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面にシリコン単結晶層を有する基材を真空容器内に配置し、該基材を所定温度に加熱するとともに該真空容器内部に少なくとも炭素原子および硅素原子を含有する化合物を導入することにより、前記シリコン単結晶層表面にシリコンカーバイト単結晶薄膜を形成するシリコンカーバイト単結晶薄膜の形成方法において、前記真空容器内に導入される少なくとも炭素原子および硅素原子を含む化合物の分圧;N×10-XTorrを1≦N<10、4≦X、(Xは自然数)に設定してシリコンカーバイト単結晶薄膜の成長を行うことを特徴とするシリコンカーバイト単結晶薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/36 A ,  H01L 21/205

Fターム (22件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB09 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077ED06 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC08 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045EB13 ,  5F045EG03 ,  5F045EG08 ,  5F045GB05 ,  5F045GB06 ,  5F045GB10 ,  5F045GB11