特許

J-GLOBAL ID：200903010331678946

薄膜の形成方法

発明者： 有隅 修 ,  須黒 恭一 ,  稗田 克彦 ,  山川 晃司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101033
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】膜厚方向に均一な組成の誘電体膜を形成する。【解決手段】アモルファスPZT膜をPt電極4上に成膜し、Pbをイオン注入によりアモルファスPZT膜の表面及びアモルファスPZT膜とPt電極4の界面に選択的に導入し、アモルファスPZT膜を熱処理により結晶化させる。

請求項（抜粋）：

結晶化した膜の化学式がABO3 で表されるアモルファス膜であって、AはPb,Ba,Srから選択される少なくとも一種類の元素を含み、BはZr,Ti,Ta,Nb,Mg,W,Fe,Coから選択される少なくとも一種類の元素を含む前記アモルファス膜を下地基板上に成膜する工程と、前記A、酸素、ランタン又はニオブのうち少なくとも一種類の元素を前記アモルファス膜の前記下地基板との界面又は前記アモルファス膜表面の少なくとも一方に選択的に導入する工程と、前記アモルファス膜を熱処理により結晶化させて薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

Fターム (13件)：

5F083AD11 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083GA30 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348259   出願人：富士通株式会社
• 誘電体素子及び誘電体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033807   出願人：三洋電機株式会社
• 強誘電体膜の製造方法及びそれを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333827   出願人：シャープ株式会社