成膜装置及び成膜方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-342988
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179346
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】吸湿性が低くて絶縁性が高く、しかもステップカバレージ性が良好なPSG膜を速い成膜速度で形成する。【解決手段】常圧プラズマCVD法により薄膜を形成する装置において、互いに対向する一対の電極2,3を有する対向電極1と、この対向電極1間に電界を印加する電源4と、対向電極間1に、TMOSまたはMTMOSを原料とする珪素原料ガス、TMPO(V価)またはTEPO(V価)を原料とするリン原料ガス、酸化性ガスの3成分を有するプロセスガスを導入するガス供給源5を設け、それら3成分のガスを組み合わせたプロセスガスを用いてCVD処理を行うことにより、成膜後のPSG膜中におけるV価リンの割合を多くする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

常圧プラズマCVD法により薄膜を形成する装置であって、互いに対向する一対の電極を有する対向電極と、この対向電極間に電界を印加する電源と、前記対向電極間に、TMOSまたはMTMOSを原料とする珪素原料ガス、TMPO(V価)またはTEPO(V価)を原料とするリン原料ガス、酸化性ガスの3成分を有するプロセスガスを導入するガス供給源を備えていることを特徴とする成膜装置。

IPC (4件)：

H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/515 , H01L21/316

FI (4件)：

H01L21/31 C , C23C16/42 , C23C16/515 , H01L21/316 X

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030KA14 , 4K030LA15 , 5F045AA08 , 5F045AB35 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045BB09 , 5F045BB16 , 5F045BB19 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EE03 , 5F045EH13 , 5F045EH19 , 5F058BA07 , 5F058BA09 , 5F058BC05 , 5F058BF07 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF32 , 5F058BF33 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ02

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